一、igbt的優(yōu)點和缺點有哪些

IGBT?就是絕緣柵雙極晶體管，它主要用于多種電子設備中的高效快速開關的場景中，兼有BJT和MOS管的好處，它的優(yōu)點和缺點都是很明顯的：

1、igbt的優(yōu)點

（1）具有較高的電壓和電流處理能力、極高的輸入阻抗。

（2）可以使用非常低的電壓切換非常高的電流。

（3）具有電壓控制裝置，沒有輸入電流和低輸入損耗。

（4）柵極驅動電路簡單且便宜，降低了柵極驅動的要求。

（5）通過施加正電壓可以很容易地打開它，通過施加零電壓或稍微負電壓可以很容易地關閉它。

（6）具有非常低的導通電阻。

（7）具有高電流密度，使其能夠具有更小的芯片尺寸。

（8）具有比BJT和MOS管更高的功率增益。

（9）具有比BJT更高的開關速度。

（10）可以使用低控制電壓切換高電流電平。

（11）具有雙極性質，增強了傳導性。

（12）安全可靠。

2、igbt的缺點

（1）開關速度低于MOS管。

（2）因為是單向的，在沒有附加電路的情況下無法處理AC波形。

（3）不能阻擋更高的反向電壓。

（4）比BJT和MOS管價格更高。

（5）類似于晶閘管的P-N-P-N結構，因此它存在鎖存問題。

二、igbt有什么特性

1、功率特性

IGBT具有良好的功率特性，其重復性能優(yōu)于MOSFET，可實現(xiàn)高效的恒定功率輸出，有利于提高整個系統(tǒng)的工作效率。

2、控制特性

IGBT具有良好的控制特性，其輸入電壓范圍較寬，可實現(xiàn)電壓控制調節(jié)，可以有效抑制電壓波動。

3、可靠性

IGBT具有良好的可靠性，具有抗電磁干擾能力強、抗溫度變化性能好和耐久性高等優(yōu)點，可以長期穩(wěn)定運行。

4、結構特性

IGBT有著緊湊的結構，體積小，可以降低整個系統(tǒng)的體積，有利于系統(tǒng)的自動化程度的提高。

三、igbt的主要參數(shù)

1、電壓限制：IGBT的電壓范圍一般在600V-6.5kV之間。

2、功率限制：IGBT的功率范圍一般在1W-15MW之間。

3、漏電流： IGBT的漏電流比MOSFET要小得多，一般在1mA-100mA之間。

4、損耗：IGBT的損耗一般比MOSFET要低，可以達到1W-15MW之間。

5、熱效應：IGBT的熱效應比MOSFET要小，可以達到20°C-150°C之間。

6、反應時間：IGBT的反應時間一般比MOSFET要快，可以達到1ns-50ns之間。