一、igbt屬于什么器件
IGBT，即Insulate-Gate Bipolar Transistor，翻譯過來是絕緣柵雙極晶體管，是半導體領域里分立器件中特別重要的一個分支。
IGBT屬于電壓控制器件，是由BJT和MOSFET組成的復合功率半導體器件，它能夠根據工業(yè)裝置中的信號指令來調節(jié)電路中的電壓、電流、頻率、相位等，以實現精準調控的目的，廣泛應用于電機節(jié)能、軌道交通、智能電網、航空航天、家用電器、汽車電子、新能源發(fā)電、新能源汽車等領域。
二、igbt有幾種類型
IGBT是半導體器件，它的應用廣泛，種類也有很多，按照不同的分類方法可分為不同類型：
1、在應用層面根據電壓等級劃分
（1）低壓IGBT：指電壓等級在1000V以內的IGBT器件，例如常見的650V應用于新能源汽車、家電、工業(yè)變頻等領域。
（2）中壓IGBT：指電壓等級在1000-1700V區(qū)間的IGBT器件，如1200V應用于光伏、電磁爐、家電、焊機、工業(yè)變頻器和新能源汽車領域，1700V應用于光伏和風電領域。
（3）高壓IGBT：指電壓等級3300V及以上的IGBT器件，比如3300V和6500V應用于高鐵、動車、智能電網，以及工業(yè)電機等領域。
2、在產品層面根據封裝方式劃分
（1）IGBT單管：封裝規(guī)模較小，一般指封裝單顆IGBT芯片，電流通常在50A以下，適用于消費、工業(yè)家電領域。
（2）IGBT模塊：IGBT最常見的形式，是將多個IGBT芯片集成封裝在一起，功率更大、散熱能力更強，適用于高壓大功率平臺，如新能源車、光伏、高鐵等。
（3）功率集成（IPM）：指把IGBT模塊加上散熱器、電容等外圍組件，組成一個功能較為完整和復雜的智能功率模塊。
3、根據是否具有N 緩沖層劃分
（1）穿通IGBT：又稱PT-IGBT、非對稱IGBT，在發(fā)射極接觸處具有N 區(qū)，具有不對稱的電壓阻斷能力，即正向和反向擊穿電壓不同。非對稱IGBT的反向擊穿電壓小于其正向擊穿電壓，同時具有更快的切換速度。穿通IGBT是單向的，不能處理反向電壓。因此，它們被用于逆變器和斬波器電路等直流電路中。
（2）非穿通IGBT：又稱NPT-IGBT、對稱IGBT，它沒有由發(fā)射極接觸額外的N 區(qū)域，結構的對稱性提供了對稱的擊穿電壓特性，即正向和反向擊穿電壓相等。由于這個原因，它們被用于交流電路。
