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IGBT功率模塊多少錢一個(gè) igbt模塊怎么選型

摘要:igbt模塊的價(jià)格主要看生產(chǎn)廠家、參數(shù)、設(shè)計(jì)、性能等方面,具體價(jià)格從一兩百元一個(gè)到幾千元一個(gè)都有,選擇時(shí)并不是價(jià)格越高就越好,而是要綜合考慮電壓、電流和開關(guān)參數(shù)來(lái)選型,并注意選出的igbt模塊要滿足安全工作區(qū)、熱限制、封裝要求和可靠性要求四個(gè)方面的要求。下面一起來(lái)了解一下IGBT功率模塊多少錢一個(gè)以及igbt模塊怎么選型吧。

一、IGBT功率模塊多少錢一個(gè)

IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)構(gòu)成的功率模塊,具有輸入阻抗大、驅(qū)動(dòng)功率小、控制電路簡(jiǎn)單、開關(guān)損耗小、通斷速度快、工作頻率高等優(yōu)點(diǎn),那么IGBT功率模塊的價(jià)格是多少呢?

一般一個(gè)IGBT功率模塊,其價(jià)格主要受到它的生產(chǎn)廠家、電壓電流等參數(shù)、設(shè)計(jì)、性能等因素的影響,市場(chǎng)價(jià)從一兩百元一個(gè)到兩三千元一個(gè)的都有。(以上價(jià)格來(lái)源網(wǎng)絡(luò),僅供參考)

二、igbt模塊怎么選型

igbt模塊在選型時(shí),主要考慮以下三個(gè)方面:

1、IGBT額定電壓的選擇

三相380V輸入電壓經(jīng)過(guò)整流和濾波后,直流母線電壓的最大值:在開關(guān)工作的條件下,IGBT的額定電壓一般要求高于直流母線電壓的兩倍,根據(jù)IGBT規(guī)格的電壓等級(jí),選擇1200V電壓等級(jí)的IGBT。

2、IGBT額定電流的選擇

以30kW變頻器為例,負(fù)載電流約為79A,由于負(fù)載電氣啟動(dòng)或加速時(shí),電流過(guò)載,一般要求1分鐘的時(shí)間內(nèi),承受1.5倍的過(guò)流,擇最大負(fù)載電流約為119A,建議選擇150A電流等級(jí)的IGBT。

3、IGBT開關(guān)參數(shù)的選擇

變頻器的開關(guān)頻率一般小于10kHZ,而在實(shí)際工作的過(guò)程中,IGBT的通態(tài)損耗所占比重比較大,建議選擇低通態(tài)型IGBT。

三、IGBT選型四個(gè)基本要求

igbt選型時(shí),還要考慮是否符合下面四個(gè)基本要求:

1、安全工作區(qū)

在安全上面,主要指的就是電的特性,除了常規(guī)的變壓電流以外,還有RBSOA(反向偏置安全工作區(qū))和短路時(shí)候的保護(hù)。這個(gè)是開通和關(guān)斷時(shí)候的波形,這個(gè)是相關(guān)的開通和關(guān)斷時(shí)候的定義。我們做設(shè)計(jì)時(shí)結(jié)溫的要求,比如長(zhǎng)期工作必須保證溫度在安全結(jié)溫之內(nèi),做到這個(gè)保證的前提是需要把這個(gè)模塊相關(guān)的應(yīng)用參數(shù)提供出來(lái)。這樣結(jié)合這個(gè)參數(shù)以后,結(jié)合選擇的IGBT的芯片,還有封裝和電流,來(lái)計(jì)算產(chǎn)品的功耗和結(jié)溫,是否滿足安全結(jié)溫的需求。

2、熱限制

熱限制就是我們脈沖功,時(shí)間比較短,它可能不是一個(gè)長(zhǎng)期的工作點(diǎn),可能突然增加,這個(gè)時(shí)候就涉及到另外一個(gè)指標(biāo),動(dòng)態(tài)熱阻,我們叫做熱阻抗。這個(gè)波動(dòng)量會(huì)直接影響到IGBT的可靠性,就是壽命問(wèn)題。你可以看到50赫茲波動(dòng)量非常小,這個(gè)壽命才長(zhǎng)。

3、封裝要求

封裝要求主要體現(xiàn)在外部封裝材料上面,在結(jié)構(gòu)上面,其實(shí)也會(huì)和封裝相關(guān),因?yàn)樵O(shè)計(jì)的時(shí)候會(huì)布局和結(jié)構(gòu)的問(wèn)題,不同的設(shè)計(jì)它的差異性很大。

4、可靠性要求

可靠性問(wèn)題,前面說(shuō)到了結(jié)溫波動(dòng),其中最擔(dān)心就是結(jié)溫波動(dòng)以后,會(huì)影響到這個(gè)綁定線和硅片之間的焊接,時(shí)間久了,這兩種材料本身之間的熱抗系數(shù)都有差異,所以在結(jié)溫波動(dòng)情況下,長(zhǎng)時(shí)間下來(lái),如果工藝不好的話,就會(huì)出現(xiàn)裂痕甚至斷裂,這樣就會(huì)影響保護(hù)壓降,進(jìn)一步導(dǎo)致IGBT失效。第二個(gè)就是熱循環(huán),主要體現(xiàn)在硅片和DCB這個(gè)材料之間,他們之間的差異性。

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