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場效應(yīng)管和mos管區(qū)別在哪里 場效應(yīng)管的三個工作區(qū)域介紹

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摘要:場效管(fet)是一種半導(dǎo)體裝置,它利用電場效應(yīng)控制輸入回路電流,并以此命名。mos管是金屬(metal)-氧化物(oxide)-半導(dǎo)體(semiconductor)場效應(yīng)晶體管,或稱金屬絕緣體(insulator)半導(dǎo)體。接下來本文將帶來場效應(yīng)管和mos管區(qū)別在哪里以及場效應(yīng)管的三個工作區(qū)域介紹,一起到文中來看看吧!

一、場效應(yīng)管和mos管區(qū)別在哪里

場效應(yīng)管之所以稱為場效應(yīng)管,是因?yàn)樗墓ぷ鞣绞绞窃跂艠O與源極之間增加電場來控制漏極與源極之間的電流,最大的特點(diǎn)就是柵極是基本沒有電流流過的。那么場效應(yīng)管和mos管區(qū)別在哪里呢?

1、主題不同

(1)場效應(yīng)管:v型槽mos場效應(yīng)管。它是繼mosfet之后新興的高效功率開關(guān)器件。

(2)mos管:金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管屬絕緣柵型。

2、特性不同

(1)場效應(yīng)管:mos場效應(yīng)管不僅繼承了輸入阻抗高(≥108W)、驅(qū)動電流(約為0.1μA),而且還具有耐壓高(最高可耐壓)、工作電流(1.5A~100A)、輸出功率高(約為108W)、驅(qū)動電流(約0.1μA)等優(yōu)良特性。

(2)mos管:其主要特征是金屬柵極和溝道之間有一層二氧化硅絕緣層,因此有很高的輸入電阻(最高可達(dá)1015Ω)。

3、規(guī)則不同

(1)場效應(yīng)管:功率晶體管的優(yōu)點(diǎn)集于一身,因此在電壓放大器(電壓放大倍數(shù)達(dá)到數(shù)千倍)、功率放大器、開關(guān)電源和逆變器等方面得到了廣泛的應(yīng)用。

(2)mos管:當(dāng)vgs=0時是處于截止?fàn)顟B(tài),再加上正確的vgs,大部分載體會被吸引到柵極上,從而“加強(qiáng)”這一區(qū)域的載體,形成導(dǎo)電溝道。

二、場效應(yīng)管的三個工作區(qū)域介紹

前文已經(jīng)簡單了解了場效應(yīng)管和mos管區(qū)別在哪里,接著咱們就重點(diǎn)來了解效應(yīng)管,來看看場效應(yīng)管的三個工作區(qū)域是什么。

場效應(yīng)管有三個極:源極(s),柵極(g),漏極(d),對應(yīng)于晶體管的發(fā)射極,基極,以及集電極。場效應(yīng)管的三個區(qū)域:截止區(qū),恒流區(qū),可變電阻區(qū),分別對應(yīng)于三極管的截止區(qū),放大區(qū)以及飽和區(qū)。

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