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場效應管和mos管區(qū)別在哪里 場效應管的三個工作區(qū)域介紹

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摘要:場效管(fet)是一種半導體裝置,它利用電場效應控制輸入回路電流,并以此命名。mos管是金屬(metal)-氧化物(oxide)-半導體(semiconductor)場效應晶體管,或稱金屬絕緣體(insulator)半導體。接下來本文將帶來場效應管和mos管區(qū)別在哪里以及場效應管的三個工作區(qū)域介紹,一起到文中來看看吧!

一、場效應管和mos管區(qū)別在哪里

場效應管之所以稱為場效應管,是因為它的工作方式是在柵極與源極之間增加電場來控制漏極與源極之間的電流,最大的特點就是柵極是基本沒有電流流過的。那么場效應管和mos管區(qū)別在哪里呢?

1、主題不同

(1)場效應管:v型槽mos場效應管。它是繼mosfet之后新興的高效功率開關器件。

(2)mos管:金屬-氧化物-半導體場效應管屬絕緣柵型。

2、特性不同

(1)場效應管:mos場效應管不僅繼承了輸入阻抗高(≥108W)、驅(qū)動電流(約為0.1μA),而且還具有耐壓高(最高可耐壓)、工作電流(1.5A~100A)、輸出功率高(約為108W)、驅(qū)動電流(約0.1μA)等優(yōu)良特性。

(2)mos管:其主要特征是金屬柵極和溝道之間有一層二氧化硅絕緣層,因此有很高的輸入電阻(最高可達1015Ω)。

3、規(guī)則不同

(1)場效應管:功率晶體管的優(yōu)點集于一身,因此在電壓放大器(電壓放大倍數(shù)達到數(shù)千倍)、功率放大器、開關電源和逆變器等方面得到了廣泛的應用。

(2)mos管:當vgs=0時是處于截止狀態(tài),再加上正確的vgs,大部分載體會被吸引到柵極上,從而“加強”這一區(qū)域的載體,形成導電溝道。

二、場效應管的三個工作區(qū)域介紹

前文已經(jīng)簡單了解了場效應管和mos管區(qū)別在哪里,接著咱們就重點來了解效應管,來看看場效應管的三個工作區(qū)域是什么。

場效應管有三個極:源極(s),柵極(g),漏極(d),對應于晶體管的發(fā)射極,基極,以及集電極。場效應管的三個區(qū)域:截止區(qū),恒流區(qū),可變電阻區(qū),分別對應于三極管的截止區(qū),放大區(qū)以及飽和區(qū)。

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