一、mos場(chǎng)效應(yīng)管的作用是什么
MOS管的英文全稱(chēng)叫MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor），即金屬氧化物半導(dǎo)體型場(chǎng)效應(yīng)管，屬于場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的絕緣柵型。因此，MOS管有時(shí)被稱(chēng)為場(chǎng)效應(yīng)管。那么mos場(chǎng)效應(yīng)管的作用是什么呢？
1、提供電壓
目前主板或顯卡上所采用的mos場(chǎng)效應(yīng)管并不是太多，一般有10個(gè)左右，主要原因是大部分mos場(chǎng)效應(yīng)管被整合到IC芯片中去了。由于mos場(chǎng)效應(yīng)管主要是為配件提供穩(wěn)定的電壓，所以它一般使用在CPU、AGP插槽和內(nèi)存插槽附近。其中在CPU與AGP插槽附近各安排一組mos場(chǎng)效應(yīng)管，而內(nèi)存插槽則共用了一組mos場(chǎng)效應(yīng)管，mos場(chǎng)效應(yīng)管一般是以?xún)蓚€(gè)組成一組的形式出現(xiàn)主板上的。
2、開(kāi)關(guān)
（1）電壓通斷用NMOS管：Ug比Us應(yīng)大10V以上，而且開(kāi)通時(shí)必須工作在飽和導(dǎo)通狀態(tài)。
（2）信號(hào)切換，信號(hào)切換用NMOS管：Ug比Us大3V-5V即可，實(shí)際上只要導(dǎo)通即可，不必飽和導(dǎo)通。
3、隔離
MOS管的隔離作用就是實(shí)現(xiàn)電路的單向?qū)ǎ拖喈?dāng)于一個(gè)二極管。使用二極管導(dǎo)通時(shí)會(huì)有壓降，會(huì)損失一些電壓。而使用MOS管做隔離，讓MOS管飽和導(dǎo)通，通過(guò)電流時(shí)MOS管幾乎不產(chǎn)生壓降。有外部適配器接入時(shí)，適配器供電；沒(méi)有外部適配器接入時(shí)，電池供電。
二、mos場(chǎng)效應(yīng)管判斷好壞的方法介紹
前文已經(jīng)了解到了mos場(chǎng)效應(yīng)管的作用是比較多的，在使用的過(guò)程中，怎么判斷好壞也是一個(gè)要掌握的，來(lái)看看mos場(chǎng)效應(yīng)管判斷好壞的方法介紹吧！
1、電阻測(cè)量的方法來(lái)判斷好壞
根據(jù)mos管道的PN結(jié)、反向電阻值不同的現(xiàn)象，可以確定mos管道的三個(gè)電極。將萬(wàn)用表掛在R1k文件上，選擇兩個(gè)電極，分別測(cè)量正負(fù)電阻值。萬(wàn)用表的黑色表筆可以隨機(jī)接觸一個(gè)電極，另一個(gè)表筆可以依次接觸其他兩個(gè)電極，以測(cè)量電阻值。如果兩次測(cè)量的電阻值幾乎相同，則黑表筆接觸的電極為極，另外兩個(gè)電極分別為漏極和圓極。
2、使用信號(hào)傳遞方法完成判斷
由于管道的放大作用，泄漏源電壓VDS和泄漏電流Ib都需要更改。也就是說(shuō)，泄漏源極間電阻發(fā)生變化，觀察時(shí)鐘針大幅度擺動(dòng)。如果手握柵時(shí)鐘針，擺動(dòng)小，則表明管的放大能力下降。可見(jiàn)表針的擺動(dòng)很大，管的放大能力很大。如果表針不動(dòng)，就是管子壞了。
3、使用感應(yīng)信號(hào)方法進(jìn)行測(cè)試
首先，如果用測(cè)量電阻的方法檢測(cè)mos管就必須找到合適的測(cè)試點(diǎn)，然后完成具體的測(cè)試。
