著錄信息
- 專利名稱：金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管及其鍵合方法
- 專利類型：發(fā)明
- 申請?zhí)枺?/em>CN200810217046.3
- 公開(公告)號：CN101388352B
- 申請日：20081022
- 公開(公告)日：20120509
- 申請人：深圳市晶導(dǎo)電子有限公司
- 發(fā)明人：賴輝朋,譚楠,廖志強(qiáng)
- 申請人地址：518101 廣東省深圳市寶安區(qū)新安街道留仙二路鴻輝工業(yè)園3號廠房1-4層
- 申請人區(qū)域代碼：CN440306
- 專利權(quán)人：深圳市晶導(dǎo)電子有限公司
- 洛迦諾分類：無
- IPC：H01L21/607,H01L23/488,B23K20/10,B23K101/40
- 優(yōu)先權(quán)：無
- 專利代理機(jī)構(gòu)：廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
- 代理人：曾旻輝
- 審查員：白燕
- 國際申請：無
- 國際公開(公告)：無
- 進(jìn)入國家日期：無
- 分案申請：無
關(guān)鍵詞
金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,銅絲,鍵合,焊球,焊接,銅線,芯片,超聲,焊點(diǎn),熔化,導(dǎo)電性能,預(yù)熱處理,自動(dòng)設(shè)備,金絲,鋁絲,球焊,禁區(qū),接觸
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