著錄信息
- 專利名稱：穿通型碳化硅絕緣柵雙極型晶體管的制備方法
- 專利類型：發(fā)明
- 申請?zhí)枺?/em>CN201410163736.0
- 公開(公告)號：CN103928322B
- 申請日：20140421
- 公開(公告)日：20160817
- 申請人：西安電子科技大學
- 發(fā)明人：郭輝,翟華星,宋慶文,張藝蒙,張玉明,湯曉燕
- 申請人地址：710071 陜西省西安市太白南路2號
- 申請人區(qū)域代碼：CN610113
- 專利權(quán)人：西安電子科技大學
- 洛迦諾分類：無
- IPC：H01L21/331,H01L21/265
- 優(yōu)先權(quán)：無
- 專利代理機構(gòu)：陜西電子工業(yè)專利中心 61205
- 代理人：王品華;朱紅星
- 審查員：周天微
- 國際申請：無
- 國際公開(公告)：無
- 進入國家日期：無
- 分案申請：無
關(guān)鍵詞
襯底正面,絕緣柵雙極型晶體管,襯底背面,碳化硅,制備,離子,刻蝕柵氧化層,淀積金屬,多晶硅柵,高溫退火,工藝步驟,集電極區(qū),結(jié)構(gòu)性能,開關(guān)電源,拋光氧化,體接觸區(qū),外延生長,引出電極,照明電路,發(fā)射區(qū),緩沖層,耐壓層,逆變器,切割面,襯底,穿通,淀積,光刻,減薄,可用,切割,背面,激活,生長
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