著錄信息
- 專利名稱：一種帶浪涌尖峰吸收的MOS
- 專利類型：實(shí)用新型
- 申請(qǐng)?zhí)枺?/em>CN201320264197.0
- 公開(公告)號(hào)：CN203243035U
- 申請(qǐng)日：20130515
- 公開(公告)日：20131016
- 申請(qǐng)人：深圳市盛元半導(dǎo)體有限公司
- 發(fā)明人：喬宇波,梁明,張雷
- 申請(qǐng)人地址：518000 廣東省深圳市寶安區(qū)福永鳳凰第三工業(yè)區(qū)創(chuàng)業(yè)園E幢
- 申請(qǐng)人區(qū)域代碼：CN440306
- 專利權(quán)人：深圳市盛元半導(dǎo)體有限公司
- 洛迦諾分類：無
- IPC：H02H9/04,H01L23/62
- 優(yōu)先權(quán)：無
- 專利代理機(jī)構(gòu)：北京科億知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11350
- 代理人：湯東鳳
- 審查員：無
- 國(guó)際申請(qǐng)：無
- 國(guó)際公開(公告)：無
- 進(jìn)入國(guó)家日期：無
- 分案申請(qǐng)：無
關(guān)鍵詞
二極管,芯片,電路可靠性,尖峰,節(jié)省空間,過壓,浪涌,損壞,連接
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